![]()
Советская электроника уже ничем не могла ответить. Вернемся к событиям последних советских лет. В 1985 году (или чуть раньше) советская микроэлектроника освоила серийный выпуск интегральных схем (ИС - чипов) уровня 3 микрона (мкм) или 3000 нанометров (нм). В первую очередь, был освоен выпуск базового изделия 64 kB (килобит) DRAM (Dynamic Random Access Memory – динамическая память с произвольным доступом), а затем и выпуск различных логических чипов уровня 3 мкм. Это было сравнительно неплохо для того момента. Советская микроэлектроника могла теперь наладить массовое производство аналогов IBM PC, которые были начали выпускаться компанией IBM 1981 году. Проблема состояла в том, что к концу 1985 года лучшие западные электронные фирмы – в Америке, Южной Корее, Японии – опередили СССР на два поколения, освоили массовое производство БИС (больших интегральных схем) уровня 1300 нм и осваивали мелкосерийное производство БИС уровня 800 нм. Возникла угроза увеличения отрыва Запада уже не на два, а на три поколения.