![]()
Тайваньские исследователи из компании Macronix разработали флэш-память, способную противостоять процессу износа, сообщает IEEE Spectrum.
В основе разработки лежит способность ячеек памяти восстанавливаться под воздействием высоких температур. Исследователи предложили подвергнуть ячейки краткосрочному сильному нагреванию (несколько миллисекунд при температуре 800 градусов Цельсия). Утверждается, что после такой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастет с 10 тысяч до ста миллионов и более.
Нагреватели было решено расположить прямо на схеме таким образом, чтобы каждый из них охватывал лишь небольшую группу ячеек.
Рубрика: технологии