![]()
Ученым Великобритании, США, Иордании и Канады удалось, по их словам, добиться существенного прогресса в понимании механизма возникновения высокотемпературной сверхпроводимости. Свое исследование авторы опубликовали в журнале Nature, кратко с ним можно ознакомиться на сайте Кембриджского университета.
В своей работе ученые исследовали электронные конфигурации нормальных и сверхпроводящих состояний недодопированных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) на основе купратов. В результате экспериментов физикам удалось локализовать очаг возникновения электронных карманов, и таким образом найти области в образце, которые отвечают за формирование сверхпроводящего состояния.